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功率半导体
宽禁带半导体材料研究
宽禁带半导体材料研究
宽禁带半导体材料研究
霍尔效应测量可有效地用于检定几乎所有的半导体生产材料如硅(Si)和锗(Ge)以及大多数的化合物半导体材料包括锗化硅(SiGe)碳化硅(SiC)砷化镓(GaAs)...
霍尔效应测量可有效地用于检定几乎所有的半导体生产材料如硅(Si)和锗(G...
霍尔效应测量可有效地用于检定几乎所有的半导体生产材料如硅(Si)和锗(G...
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检定宽禁带设备
检定宽禁带设备
检定宽禁带设备
表征SiC或GaN晶圆和封装部件级器件的电气性能需要学习新技术，例如使用更高功率的仪器，处理探测和进行低电平测量的挑战，例如在高击穿电压存在下的皮安级泄漏电流
表征SiC或GaN晶圆和封装部件级器件的电气性能需要学习新技术，例如使用...
表征SiC或GaN晶圆和封装部件级器件的电气性能需要学习新技术，例如使用...
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双脉冲测试
双脉冲测试
双脉冲测试
使用的仪器是一个电源或SMU提供电压，一个任意函数发生器(AFG)输出脉冲，触发MOSFET的栅极，使其打开以启动电流传导，以及一个示波器测量产生的波形
使用的仪器是一个电源或SMU提供电压，一个任意函数发生器(AFG)输出脉...
使用的仪器是一个电源或SMU提供电压，一个任意函数发生器(AFG)输出脉...
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验证宽禁带设备
验证宽禁带设备
验证宽禁带设备
这些问题可以使用泰克的IsoVu隔离探头轻松解决，该探头在GaN和SiC器件的工作要求下不会随频率降低，从而可以进行准确的差分测量
这些问题可以使用泰克的IsoVu隔离探头轻松解决，该探头在GaN和SiC...
这些问题可以使用泰克的IsoVu隔离探头轻松解决，该探头在GaN和SiC...
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SP26系列半导体参数分析仪
SP26系列半导体参数分析仪
SP26系列半导体参数分析仪
参数波形记录提供功率同步电流电压曲线测试IV曲线测试电容电压曲线测试CV曲线测试和功率脉冲IV曲线测量
参数波形记录提供功率同步电流电压曲线测试IV曲线测试电容电压曲线测试CV...
参数波形记录提供功率同步电流电压曲线测试IV曲线测试电容电压曲线测试CV...
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基于高精度SMU的综合 IV
基于高精度SMU的综合 IV
基于高精度SMU的综合 IV
基于高精度SMU的综合IV性能测试系统，内部包含高性能的双用到KEITHLEY数字源表和电源，外部 配置计算机，以及探针台和热成像仪等组成。可以针对各种形式材料...
基于高精度SMU的综合IV性能测试系统，内部包含高性能的双用到KEITH...
基于高精度SMU的综合IV性能测试系统，内部包含高性能的双用到KEITH...
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